【半導体】IBM、5nmナノシートで画期的成果を発表 FinFET代替なるか [無断転載禁止]©2ch.net ->画像>8枚

http://eetimes.jp/ee/articles/1706/12/news054.html


IBMなどが積層シリコンナノシートをベースにした新しいトランジスタ（シリコンナノシートトランジスタ）アーキテクチャを開発した。5nmノードの実現に向けて、FinFETに代わる技術として注目される。
[R. Colin Johnson，EE Times Japan]

FinFETと比べて消費電力を大幅に削減可能

　IBMの研究チームは、パートナー企業と共に、積層シリコンナノシートをベースにした新しいトランジスタ（シリコンナノシートトランジスタ）アーキテクチャを開発したと発表した。5nmノードの実現に向けて、FinFETに代わる技術として適用できるという。

　同アーキテクチャは2017年6月5日、京都で開催された半導体の回路技術に関する国際学会「2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits」（2017年6月5〜8日）で発表された。研究アライアンスパートナーであるGLOBALFOUNDRIESとSamsung Electronics、製造装置メーカーらとの約10年にわたるナノシートの研究の末、開発に成功したという。同アーキテクチャは、FinFETと比べて消費電力を大幅に削減できるという。

IBM、GLOBALFOUNDRIES、Samsung Electronicsが開発した、ナノシートトランジスタで構成した5nmプロセスのチップの電子顕微鏡画像（クリックで拡大） 出典：IBM
　シリコンナノシートトランジスタによって、スマートフォンなどのモバイル機器は1回のバッテリー充電で2〜3日間動作できるようになるという。また、性能が大きく向上することから、AI（人工知能）やVR（仮想現実）、スーパーコンピュータ（スパコン）への活用も期待できるとする。

　同研究アライアンスは、200億個のトランジスタを搭載した7nmプロセスのテストチップを開発してから2年もたたずして、爪の先ほどのサイズのチップに300億個のトランジスタを搭載することに成功した。同トランジスタは、ナノワイヤをゲート電極で取り囲むGAA（Gate-All-Around）構造を採用したものだ。テスト結果では、同じ電力の7nm FinFETに比べて、性能が40％向上したという。さらに、10nmプロセスのトランジスタに比べると消費電力を最大75％削減できるとした。

シリコンナノシートを採用したトランジスタを構築したウエハー。ウエハーを持っているのは、IBM Researchの研究員であるNicolas Loubet氏（クリックで拡大） 出典：IBM、写真：Connie Zhou氏
　IBMは、「5nmの実現に向けたこの新技術は、チップの性能を大きく向上するため、コグニティブコンピューティングや、より高いスループットを実現するクラウドコンピューティング、ディープラーニングにも貢献できると期待している。また、IoT（モノのインターネット）に必要な低消費電力、長時間バッテリー駆動という特長も備えている」と説明している。

http://eetimes.jp/ee/articles/1706/12/news054_2.html

ナノシートの幅を調整

　同研究アライアンスは、この技術的革新を達成するために、7nm FinFETチップで導入されるとみられているEUV（極端紫外線）リソグラフィの課題を克服しなくてはならなかった。同アライアンスは、EUVの短波長というメリット以外に、半導体の設計と製造の両方の工程でナノシートの幅を調整する方法を発見したという。

5nmシリコンナノシートトランジスタのテストを行うIBMの研究員たち（クリックで拡大） 出典：SUNY、写真：Connie Zhou氏
　IBMは、「ナノシートアーキテクチャは、シングルセルDRAMのプロセス技術のブレイクスルーや、化学増幅型レジスト、銅ワイヤボンディング、SOI（シリコン・オン・インシュレータ）、歪み材料、マルチコアプロセッサ、液浸リソグラフィ、高誘電率材料、組み込みDRAM、3次元（3D）積層チップ、エアギャップインシュレータと並ぶ画期的技術だ」と主張している。

EUVリソグラフィ装置を操作する研究者たち（クリックで拡大） 出典：SUNY、写真：Connie Zhou氏
　GLOBALFOUNDRIESのCTO（最高技術責任者）でワールドワイドR&D部門のリーダーを務めるGary Patton氏は、同アーキテクチャを“非常に画期的な技術”とアピールし、5nm以降の次世代プロセス技術の実現に向けて積極的に研究を続けていく姿勢を明らかにした。

【翻訳：滝本麻貴、編集：EE Times Japan】
http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1331850&;

ナニ

最初からイチナノにしとけ

多い日も安心

IBMって
半導体から手を引いたんじゃなかったのか

EUV-フォトリソ
レーザー核融合と並んで大阪大学が20年以上前から研究していたけど
文部科学省にバッサリ予算削られて足踏みしつづけてきた分野ですね
おかげで米韓連合に先を越されました
国賊文科省の皆さん、おめでとう

>>5
基礎研究は止めてないよ

intelビビってる

わからん。東京ドーム何個分だ？

CPUの速度UPは もういいよ、それよりネットの速度を上げてくれや

ウエハース食べたくなった

Q.どうでもいいけどＩＢＭとＨＡＬの関係知っとるか？

答えは↓




























A.アルファベットの1字ズレや！

IBM-Jは資本金1000億円の有限会社なんだが、何か？

某マンガネタ禁止

もっとわかり易く書いてくれ中学生でも解るくらいに･･･(:3_ヽ)_

全然詳しくないけど、この分野で日本の出る幕はあるのかい?

>>6
悪いのは東大閥だろう
>>16
ない

なの

これが捏造拉致事件

それは渡辺秀子２児拉致事件

みんな知ってた？日本に拉致実行犯が存在していることを。


2007年4月7日毎日新聞
1

2


容疑者を事情聴取をする予定という記事
2007年4月17年


上の２つの記事は日本には現在も拉致実行犯が存在しているという内容。
そして下の記事は警察がその容疑者を聴取する予定とうい記事。

しかし警察はその後聴取は行わないまま現在に至っている。そしてマスコミはこの事件後から第二次安倍政権誕生の直前までこの事件や拉致全般の報道をしなくなった。

その理由はこちらを読めばわかります
https://sites.google.com/site/worldthreatoftruth/northkoreaoftruth/northkorea_conspiracy_theory

そして北朝鮮情勢は周辺国が仕組んだインチキだらけという説明
https://sites.google.com/site/worldthreatoftruth/northkoreaoftruth



2ちゃんで大々的に在日日本支配説が流布されているりゆうがわかるから

jj

>>10
データ圧縮がキモになるから、半導体性能も重要。

>>16
半導体製造装置の方だと日本強いよ。
半導体のチップ製造の方はもう駄目だけど。

>>21
でもステッパーはASML一択になっちゃったよなぁ。

>>16
ある訳ねえじゃん

韓国死亡？？

バカなクソニートだらけ(笑)

>>1
これすげえな、、、
IBM株買うか、、、

>>16
1980年代後半に、日本の半導体技術が世界を圧倒した。当時、NECが世界トップで、東芝と日立が続いてた。今の自動車産業よりも強かった。
しかし、それによる日米半導体摩擦で、無理矢理米国に技術供与させられ、価格統制、シェア統制を受け、日本の半導体産業は崩壊した。

日本は技術で圧勝してたのに、政治で完敗した。

しゃあないやろ
あの時発動させられそうになったスーパー301条がえげつなさ過ぎたんだから
あんなん発動されたら日本の半導体メーカー即死するわ

>>22
その他の所は日立ハイテクさんとか頑張ってるけど、どうかな。TELも。

ウエハーが丸い理由ってなんだろ。
四角く作れば無駄が無さそうなのに

>>30
ウェハーの製造行程みれば納得するよ

MZP-64PYJL

ニュー速に建てる内容か？

馬鹿とクズの集まりなのに

どうなの？そうなの？禁止

ボール型半導体製造プロセスという話が一時期持ち上がっていたが、
あれはどうなったんだろうか？平面でないと、露光とかどうするのか
と思っていたが、それとも今は密かに使われているのだろうか？